【供应】2N7002ET3G
- 产品型号：2N7002ET3G
- 生产厂家： ON Semiconductor
- 产品规格：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
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详细信息
产品变化通告：
Wire Change for SOT23 Pkg 26/May/2009
Product Obsolescence 21/Jan/2010
标准包装：10,000
系列：-
包装：带卷 (TR)
FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能：逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss)：60V
电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：260mA
不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：2.5 欧姆 @ 240mA，10V
不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：2.5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：0.81nC @ 5V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：26.7pF @ 25V
功率 - 最大值：300mW
安装类型：表面贴装
封装：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商器件封装：SOT-23-3（TO-236）
Product Obsolescence 21/Jan/2010
标准包装：10,000
系列：-
包装：带卷 (TR)
FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能：逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss)：60V
电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：260mA
不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：2.5 欧姆 @ 240mA，10V
不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：2.5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：0.81nC @ 5V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：26.7pF @ 25V
功率 - 最大值：300mW
安装类型：表面贴装
封装：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商器件封装：SOT-23-3（TO-236）
