【供应】2SK3666-3-TB-E
- 产品型号:2SK3666-3-TB-E
- 生产厂家: ON Semiconductor
- 产品规格:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
- 供应商:查看供应商>>
美元参考价格
-
3000pcs: $0.09162/pcs
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6000pcs: $0.08653/pcs
15000pcs: $0.07890/pcs
30000pcs: $0.07381/pcs
75000pcs: $0.06617/pcs
150000pcs: $0.06363/pcs
详细信息
产品目录绘图:
CP Package N-Channel & RF Fets, Top
标准包装:3,000
系列:-
包装:带卷 (TR)
不同 Vds (Vgs=0) 时的电流 - 漏极 (Idss):1.2mA @ 10V
漏源极电压 (Vdss):30V
漏极电流 (Id) - 最大值:10mA
FET 类型:N 沟道
电压 - 击穿 (V(BR)GSS):-
不同 Id 时的电压 - 截止(VGS 关):180mV @ 1µA
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):4pF @ 10V
电阻 - RDS(开):200 欧姆
安装类型:表面贴装
封装:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
供应商器件封装:3-CP
功率 - 最大值:200mW
标准包装:3,000
系列:-
包装:带卷 (TR)
不同 Vds (Vgs=0) 时的电流 - 漏极 (Idss):1.2mA @ 10V
漏源极电压 (Vdss):30V
漏极电流 (Id) - 最大值:10mA
FET 类型:N 沟道
电压 - 击穿 (V(BR)GSS):-
不同 Id 时的电压 - 截止(VGS 关):180mV @ 1µA
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):4pF @ 10V
电阻 - RDS(开):200 欧姆
安装类型:表面贴装
封装:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
供应商器件封装:3-CP
功率 - 最大值:200mW