【供应】BFR30LT1G
- 产品型号:BFR30LT1G
- 生产厂家: ON Semiconductor
- 产品规格:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
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详细信息
产品变化通告:
Product Discontinuation 01/Oct/2008
标准包装:3,000
系列:-
包装:带卷 (TR)
不同 Vds (Vgs=0) 时的电流 - 漏极 (Idss):4mA @ 10V
漏源极电压 (Vdss):25V
漏极电流 (Id) - 最大值:-
FET 类型:N 沟道
电压 - 击穿 (V(BR)GSS):-
不同 Id 时的电压 - 截止(VGS 关):5V @ 0.5nA
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):5pF @ 10V
电阻 - RDS(开):-
安装类型:表面贴装
封装:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
供应商器件封装:SOT-23-3(TO-236)
功率 - 最大值:225mW
标准包装:3,000
系列:-
包装:带卷 (TR)
不同 Vds (Vgs=0) 时的电流 - 漏极 (Idss):4mA @ 10V
漏源极电压 (Vdss):25V
漏极电流 (Id) - 最大值:-
FET 类型:N 沟道
电压 - 击穿 (V(BR)GSS):-
不同 Id 时的电压 - 截止(VGS 关):5V @ 0.5nA
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):5pF @ 10V
电阻 - RDS(开):-
安装类型:表面贴装
封装:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
供应商器件封装:SOT-23-3(TO-236)
功率 - 最大值:225mW