产品培训模块： High Voltage Switches for Power Processing

标准包装：2,000
系列：-
包装：散装
不同 Vds (Vgs=0) 时的电流 - 漏极 (Idss)：40mA @ 15V
漏源极电压 (Vdss)：-
漏极电流 (Id) - 最大值：-
FET 类型：N 沟道
电压 - 击穿 (V(BR)GSS)：25V
不同 Id 时的电压 - 截止（VGS 关）：2V @ 10nA
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：-
电阻 - RDS（开）：12 欧姆
安装类型：通孔
封装：TO-226-3、TO-92-3 标准主体
供应商器件封装：TO-92-3
功率 - 最大值：625mW