标准包装：1
系列：IGBTMOD™
IGBT 类型：-
配置：半桥
电压 - 集射极击穿（最大值）：1200V
不同?Vge、Ic 时的?Vce(on)：2.8V @ 15V，200A
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：200A
电流 - 集电极截止（最大值）：1mA
不同?Vce 时的输入电容 (Cies)：15nF @ 10V
功率 - 最大值：2000W
输入：标准
NTC 热敏电阻：无
安装类型：底座安装
封装：模块
供应商器件封装：模块
配用：BG2B-5015-ND - KIT DEV BOARD 2CN 5A FOR IGBT
BG2B-3015-ND - KIT DEV BOARD 2CN 3A FOR IGBT
BG2B-1515-ND - KIT DEV BOARD 1.5A FOR IGBT
BG2A-NF-ND - KIT DEV BOARD FOR IGBT