详细信息
标准包装:2
系列:-
IGBT 类型:NPT
配置:半桥
电压 - 集射极击穿(最大值):1200V
不同?Vge、Ic 时的?Vce(on):2.8V @ 15V,300A
电流 - 集电极 (Ic)(最大值):420A
电流 - 集电极截止(最大值):3.3mA
不同?Vce 时的输入电容 (Cies):17nF @ 25V
功率 - 最大值:1700W
输入:标准
NTC 热敏电阻:无
安装类型:底座安装
封装:Y3-Li
供应商器件封装:Y3-Li
系列:-
IGBT 类型:NPT
配置:半桥
电压 - 集射极击穿(最大值):1200V
不同?Vge、Ic 时的?Vce(on):2.8V @ 15V,300A
电流 - 集电极 (Ic)(最大值):420A
电流 - 集电极截止(最大值):3.3mA
不同?Vce 时的输入电容 (Cies):17nF @ 25V
功率 - 最大值:1700W
输入:标准
NTC 热敏电阻:无
安装类型:底座安装
封装:Y3-Li
供应商器件封装:Y3-Li