【供应】STGD3NB60SDT4
- 产品型号：STGD3NB60SDT4
- 生产厂家： STMicroelectronics
- 产品规格：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63
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美元参考价格
-
2500pcs： $0.65800/pcs
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5000pcs： $0.62510/pcs
12500pcs： $0.60160/pcs
25000pcs： $0.58280/pcs
详细信息
其它有关文件：
STGD3NB60SD View All Specifications
标准包装：2,500
系列：PowerMESH™
包装：带卷 (TR)
IGBT 类型：-
电压 - 集射极击穿（最大值）：600V
不同?Vge、Ic 时的?Vce(on)：1.5V @ 15V，3A
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：6A
Current - Collector Pulsed (Icm)：25A
功率 - 最大值：48W
Switching Energy：1.15mJ
输入类型：标准
Gate Charge：18nC
Td (on/off) A 25°C：125µs/3.4µs
Test Condition：480V, 3A, 1 千欧, 15V
反向恢复时间 (trr)：1700ns
封装：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63
安装类型：表面贴装
供应商器件封装：D-Pak
配用：497-8214-ND - 35W ELECTRONIC BALLAST FOR HID L
标准包装：2,500
系列：PowerMESH™
包装：带卷 (TR)
IGBT 类型：-
电压 - 集射极击穿（最大值）：600V
不同?Vge、Ic 时的?Vce(on)：1.5V @ 15V，3A
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：6A
Current - Collector Pulsed (Icm)：25A
功率 - 最大值：48W
Switching Energy：1.15mJ
输入类型：标准
Gate Charge：18nC
Td (on/off) A 25°C：125µs/3.4µs
Test Condition：480V, 3A, 1 千欧, 15V
反向恢复时间 (trr)：1700ns
封装：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63
安装类型：表面贴装
供应商器件封装：D-Pak
配用：497-8214-ND - 35W ELECTRONIC BALLAST FOR HID L
