【供应】TJ120F06J3(TE24L,Q
- 产品型号：TJ120F06J3(TE24L,Q
- 生产厂家： Toshiba
- 产品规格：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63
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详细信息
产品目录绘图：
TO-220SM
TO-220SM End
标准包装：1,000
系列：-
包装：带卷 (TR)
FET 类型：MOSFET P 通道，金属氧化物
FET 功能：逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss)：60V
电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：120A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：8 毫欧 @ 60A，10V
不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：3V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：258nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：11640pF @ 10V
功率 - 最大值：300W
安装类型：表面贴装
封装：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63
供应商器件封装：TO-220SM（W）
TO-220SM End
标准包装：1,000
系列：-
包装：带卷 (TR)
FET 类型：MOSFET P 通道，金属氧化物
FET 功能：逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss)：60V
电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：120A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：8 毫欧 @ 60A，10V
不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：3V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：258nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：11640pF @ 10V
功率 - 最大值：300W
安装类型：表面贴装
封装：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63
供应商器件封装：TO-220SM（W）