【供应】TJ8S06M3L(T6L1,NQ)

- 产品型号:TJ8S06M3L(T6L1,NQ)
- 生产厂家: Toshiba
- 产品规格:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
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美元参考价格
-
2000pcs: $0.46200/pcs
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详细信息
标准包装:2,000
系列:-
包装:带卷 (TR)
FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物
FET 功能:逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss):60V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):8A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):104 毫欧 @ 4A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):3V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):19nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):890pF @ 10V
功率 - 最大值:27W
安装类型:表面贴装
封装:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
供应商器件封装:DPAK+
系列:-
包装:带卷 (TR)
FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物
FET 功能:逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss):60V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):8A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):104 毫欧 @ 4A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):3V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):19nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):890pF @ 10V
功率 - 最大值:27W
安装类型:表面贴装
封装:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
供应商器件封装:DPAK+
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