【供应】TK100E06N1,S1X
- 产品型号：TK100E06N1,S1X
- 生产厂家： Toshiba
- 产品规格：TO-220-3
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美元参考价格
-
1pcs： $4.26000/pcs
- 向供应商询价>>
10pcs： $3.80000/pcs
25pcs： $3.42000/pcs
100pcs： $3.11600/pcs
250pcs： $2.81200/pcs
500pcs： $2.52320/pcs
1000pcs： $2.12800/pcs
2500pcs： $2.02160/pcs
5000pcs： $1.93800/pcs
详细信息
特色产品：
Silicon N-channel MOSFETSilicon N-channel MOSFET
标准包装：50
系列：-
包装：管件
FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能：标准
漏源极电压 (Vdss)：60V
电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：100A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：2.3 毫欧 @ 50A，10V
不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：4V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：140nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：10500pF @ 30V
功率 - 最大值：255W
安装类型：通孔
封装：TO-220-3
供应商器件封装：TO-220-3
标准包装：50
系列：-
包装：管件
FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能：标准
漏源极电压 (Vdss)：60V
电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：100A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：2.3 毫欧 @ 50A，10V
不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：4V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：140nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：10500pF @ 30V
功率 - 最大值：255W
安装类型：通孔
封装：TO-220-3
供应商器件封装：TO-220-3
