详细信息
标准包装:50
系列:-
包装:管件
FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:标准
漏源极电压 (Vdss):600V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):20A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):190 毫欧 @ 10A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):5V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):27nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):1470pF @ 10V
功率 - 最大值:190W
安装类型:通孔
封装:TO-220-3
供应商器件封装:TO-220(W)
系列:-
包装:管件
FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:标准
漏源极电压 (Vdss):600V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):20A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):190 毫欧 @ 10A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):5V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):27nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):1470pF @ 10V
功率 - 最大值:190W
安装类型:通孔
封装:TO-220-3
供应商器件封装:TO-220(W)