【供应】TK39J60W,S1VQ
- 产品型号:TK39J60W,S1VQ
- 生产厂家: Toshiba
- 产品规格:TO-3P-3,SC-65-3
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美元参考价格
-
1pcs: $9.75000/pcs
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25pcs: $7.99520/pcs
100pcs: $7.21500/pcs
250pcs: $6.63000/pcs
500pcs: $6.04500/pcs
1000pcs: $5.26500/pcs
2500pcs: $5.07000/pcs
5000pcs: $4.87500/pcs
10000pcs: $4.77750/pcs
详细信息
特色产品:
DTMOSIV Superjunction MOSFETs
标准包装:25
系列:-
包装:管件
FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:标准
漏源极电压 (Vdss):600V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):38.8A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):65 毫欧 @ 19.4A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):3.7V @ 1.9mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):110nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):4100pF @ 300V
功率 - 最大值:270W
安装类型:通孔
封装:TO-3P-3,SC-65-3
供应商器件封装:TO-3P(N)
标准包装:25
系列:-
包装:管件
FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:标准
漏源极电压 (Vdss):600V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):38.8A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):65 毫欧 @ 19.4A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):3.7V @ 1.9mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):110nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):4100pF @ 300V
功率 - 最大值:270W
安装类型:通孔
封装:TO-3P-3,SC-65-3
供应商器件封装:TO-3P(N)