【供应】TK45P03M1,RQ(S
- 产品型号：TK45P03M1,RQ(S
- 生产厂家： Toshiba
- 产品规格：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63
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美元参考价格
-
2000pcs： $0.34075/pcs
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详细信息
标准包装：2,000
系列：-
包装：带卷 (TR)
FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能：逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss)：30V
电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：45A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：9.7 毫欧 @ 22.5A，10V
不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：2.3V @ 200µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：25nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：1500pF @ 10V
功率 - 最大值：39W
安装类型：表面贴装
封装：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63
供应商器件封装：D-Pak
系列：-
包装：带卷 (TR)
FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能：逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss)：30V
电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：45A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：9.7 毫欧 @ 22.5A，10V
不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：2.3V @ 200µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：25nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：1500pF @ 10V
功率 - 最大值：39W
安装类型：表面贴装
封装：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63
供应商器件封装：D-Pak
