【供应】TK58E06N1,S1X
- 产品型号：TK58E06N1,S1X
- 生产厂家： Toshiba
- 产品规格：TO-220-3
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美元参考价格
-
1pcs： $2.09000/pcs
- 向供应商询价>>
10pcs： $1.89000/pcs
25pcs： $1.68760/pcs
100pcs： $1.51880/pcs
250pcs： $1.35000/pcs
500pcs： $1.18126/pcs
1000pcs： $0.97875/pcs
2500pcs： $0.91125/pcs
5000pcs： $0.87750/pcs
详细信息
特色产品：
Silicon N-channel MOSFETSilicon N-channel MOSFET
标准包装：50
系列：-
包装：管件
FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能：标准
漏源极电压 (Vdss)：60V
电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：58A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：5.4 毫欧 @ 29A，10V
不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：4V @ 500µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：46nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：3400pF @ 30V
功率 - 最大值：110W
安装类型：通孔
封装：TO-220-3
供应商器件封装：TO-220-3
标准包装：50
系列：-
包装：管件
FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能：标准
漏源极电压 (Vdss)：60V
电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：58A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：5.4 毫欧 @ 29A，10V
不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：4V @ 500µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：46nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：3400pF @ 30V
功率 - 最大值：110W
安装类型：通孔
封装：TO-220-3
供应商器件封装：TO-220-3
