【供应】TK6A60W,S4VX
- 产品型号：TK6A60W,S4VX
- 生产厂家： Toshiba
- 产品规格：TO-220-3 全封装，隔离接片
- 供应商：查看供应商>>
美元参考价格
-
1pcs： $2.26000/pcs
- 向供应商询价>>
10pcs： $2.03800/pcs
25pcs： $1.82000/pcs
100pcs： $1.63800/pcs
250pcs： $1.45600/pcs
500pcs： $1.27400/pcs
1000pcs： $1.05560/pcs
2500pcs： $0.98280/pcs
5000pcs： $0.94640/pcs
详细信息
特色产品：
DTMOSIV Superjunction MOSFETs
标准包装：50
系列：-
包装：管件
FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能：标准
漏源极电压 (Vdss)：600V
电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：6.2A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：750 毫欧 @ 3.1A，10V
不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：3.7V @ 310µ A，10V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：12nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：390pF @ 300V
功率 - 最大值：30W
安装类型：通孔
封装：TO-220-3 全封装，隔离接片
供应商器件封装：TO-220SIS
标准包装：50
系列：-
包装：管件
FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能：标准
漏源极电压 (Vdss)：600V
电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：6.2A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：750 毫欧 @ 3.1A，10V
不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：3.7V @ 310µ A，10V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：12nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：390pF @ 300V
功率 - 最大值：30W
安装类型：通孔
封装：TO-220-3 全封装，隔离接片
供应商器件封装：TO-220SIS
