【供应】TK6A65D(STA4,Q,M)
- 产品型号：TK6A65D(STA4,Q,M)
- 生产厂家： Toshiba
- 产品规格：TO-220-3 整包
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美元参考价格
-
1pcs： $1.94000/pcs
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10pcs： $1.75600/pcs
25pcs： $1.56760/pcs
100pcs： $1.41080/pcs
250pcs： $1.25400/pcs
500pcs： $1.09726/pcs
1000pcs： $0.90915/pcs
2500pcs： $0.84645/pcs
详细信息
产品目录绘图：
TO-220SIS Side 3
TO-220SIS Side 2
TO-220SIS Side 1
标准包装：50
系列：-
包装：管件
FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能：标准
漏源极电压 (Vdss)：650V
电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：6A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：1.11 欧姆 @ 3A，10V
不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：4V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：20nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：1050pF @ 25V
功率 - 最大值：45W
安装类型：通孔
封装：TO-220-3 整包
供应商器件封装：TO-220SIS
TO-220SIS Side 2
TO-220SIS Side 1
标准包装：50
系列：-
包装：管件
FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能：标准
漏源极电压 (Vdss)：650V
电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：6A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：1.11 欧姆 @ 3A，10V
不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：4V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：20nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：1050pF @ 25V
功率 - 最大值：45W
安装类型：通孔
封装：TO-220-3 整包
供应商器件封装：TO-220SIS
