【供应】TK72A08N1,S4X(S
- 产品型号:TK72A08N1,S4X(S
- 生产厂家: Toshiba
- 产品规格:TO-220-3 整包
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美元参考价格
-
1pcs: $2.94000/pcs
- 向供应商询价>>
10pcs: $2.62500/pcs
25pcs: $2.36240/pcs
100pcs: $2.15250/pcs
250pcs: $1.94252/pcs
500pcs: $1.74300/pcs
1000pcs: $1.47000/pcs
2500pcs: $1.39650/pcs
5000pcs: $1.33875/pcs
详细信息
产品目录绘图:
TK Series Side 3
TK Series Side 2
TK Series TO-220F Side 1
标准包装:500
系列:-
包装:散装
FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss):75V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):80A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):4.5 毫欧 @ 40A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):175nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):8200pF @ 10V
功率 - 最大值:40W
安装类型:通孔
封装:TO-220-3 整包
供应商器件封装:TO-220SIS
TK Series Side 2
TK Series TO-220F Side 1
标准包装:500
系列:-
包装:散装
FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss):75V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):80A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):4.5 毫欧 @ 40A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):175nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):8200pF @ 10V
功率 - 最大值:40W
安装类型:通孔
封装:TO-220-3 整包
供应商器件封装:TO-220SIS