【供应】TN0200K-T1-E3
- 产品型号：TN0200K-T1-E3
- 生产厂家： Vishay Siliconix
- 产品规格：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
- 供应商：查看供应商>>
美元参考价格
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3000pcs： $0.14880/pcs
- 向供应商询价>>
6000pcs： $0.13920/pcs
15000pcs： $0.12960/pcs
30000pcs： $0.12240/pcs
75000pcs： $0.12000/pcs
150000pcs： $0.11520/pcs
详细信息
标准包装：3,000
系列：TrenchFET®
包装：带卷 (TR)
FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能：逻辑电平栅极，2.5V 驱动
漏源极电压 (Vdss)：20V
电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：730mA
不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：400 毫欧 @ 600mA，4.5V
不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：1V @ 50µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：2nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：-
功率 - 最大值：350mW
安装类型：表面贴装
封装：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商器件封装：SOT-23-3（TO-236）
系列：TrenchFET®
包装：带卷 (TR)
FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能：逻辑电平栅极，2.5V 驱动
漏源极电压 (Vdss)：20V
电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：730mA
不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：400 毫欧 @ 600mA，4.5V
不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：1V @ 50µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：2nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：-
功率 - 最大值：350mW
安装类型：表面贴装
封装：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商器件封装：SOT-23-3（TO-236）
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