【供应】TPC8208(TE12L,Q,M)
- 产品型号：TPC8208(TE12L,Q,M)
- 生产厂家： Toshiba
- 产品规格：8-SOIC（0.173"，4.40mm 宽）
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美元参考价格
-
3000pcs： $0.26100/pcs
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详细信息
标准包装：3,000
系列：-
包装：带卷 (TR)
FET 类型：2 个 N 沟道（双）
FET 功能：逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss)：20V
电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：5A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：50 毫欧 @ 2.5A，4V
不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：1.2V @ 200µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：9.5nC @ 5V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：780pF @ 10V
功率 - 最大值：750mW
安装类型：表面贴装
封装：8-SOIC（0.173"，4.40mm 宽）
供应商器件封装：8-SOP（5.5x6.0）
系列：-
包装：带卷 (TR)
FET 类型：2 个 N 沟道（双）
FET 功能：逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss)：20V
电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：5A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：50 毫欧 @ 2.5A，4V
不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：1.2V @ 200µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：9.5nC @ 5V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：780pF @ 10V
功率 - 最大值：750mW
安装类型：表面贴装
封装：8-SOIC（0.173"，4.40mm 宽）
供应商器件封装：8-SOP（5.5x6.0）
