标准包装：3,000
系列：-
包装：带卷 (TR)
FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能：逻辑电平栅极，2.5V 驱动
漏源极电压 (Vdss)：20V
电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：40A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：3.5 毫欧 @ 20A，4.5V
不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：1.3V @ 200µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：32nC @ 5V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：2900pF @ 10V
功率 - 最大值：45W
安装类型：表面贴装
封装：8-PowerVDFN
供应商器件封装：8-SOP 高级