标准包装：3,000
系列：-
包装：带卷 (TR)
FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能：逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss)：30V
电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：21A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：12.9 毫欧 @ 11A，10V
不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：2.5V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：21nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：2150pF @ 10V
功率 - 最大值：30W
安装类型：表面贴装
封装：8-PowerVDFN
供应商器件封装：8-SOP 高级