【供应】TPH7R506NH,L1Q
- 产品型号：TPH7R506NH,L1Q
- 生产厂家： Toshiba
- 产品规格：8-PowerVDFN
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美元参考价格
-
5000pcs： $0.56525/pcs
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10000pcs： $0.54188/pcs
25000pcs： $0.52700/pcs
50000pcs： $0.51000/pcs
详细信息
标准包装：5,000
系列：-
包装：带卷 (TR)
FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能：逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss)：60V
电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：22A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：7.5 毫欧 @ 11A，10V
不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：4V @ 300µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：31nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：2320pF @ 30V
功率 - 最大值：45W
安装类型：表面贴装
封装：8-PowerVDFN
供应商器件封装：8-SOP 高级
系列：-
包装：带卷 (TR)
FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能：逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss)：60V
电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：22A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：7.5 毫欧 @ 11A，10V
不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：4V @ 300µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：31nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：2320pF @ 30V
功率 - 最大值：45W
安装类型：表面贴装
封装：8-PowerVDFN
供应商器件封装：8-SOP 高级
