【供应】TPN22006NH,LQ
- 产品型号：TPN22006NH,LQ
- 生产厂家： Toshiba
- 产品规格：8-PowerVDFN
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美元参考价格
-
3000pcs： $0.31900/pcs
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6000pcs： $0.29700/pcs
15000pcs： $0.28600/pcs
30000pcs： $0.27500/pcs
75000pcs： $0.27060/pcs
150000pcs： $0.26400/pcs
详细信息
标准包装：3,000
系列：-
包装：带卷 (TR)
FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能：标准
漏源极电压 (Vdss)：60V
电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：9A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：22 毫欧 @ 4.5A，10V
不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：4V @ 100µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：12nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：710pF @ 30V
功率 - 最大值：18W
安装类型：表面贴装
封装：8-PowerVDFN
供应商器件封装：8-TSON高级
系列：-
包装：带卷 (TR)
FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能：标准
漏源极电压 (Vdss)：60V
电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：9A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：22 毫欧 @ 4.5A，10V
不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：4V @ 100µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：12nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：710pF @ 30V
功率 - 最大值：18W
安装类型：表面贴装
封装：8-PowerVDFN
供应商器件封装：8-TSON高级
