【供应】TPS1101DR
- 产品型号：TPS1101DR
- 生产厂家： Texas Instruments
- 产品规格：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
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美元参考价格
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2500pcs： $0.84375/pcs
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详细信息
标准包装：2,500
系列：-
包装：带卷 (TR)
FET 类型：MOSFET P 通道，金属氧化物
FET 功能：逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss)：15V
电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：2.3A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：90 毫欧 @ 2.5A，10V
不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：1.5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：11.25nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：-
功率 - 最大值：791mW
安装类型：表面贴装
封装：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
供应商器件封装：8-SOIC
系列：-
包装：带卷 (TR)
FET 类型：MOSFET P 通道，金属氧化物
FET 功能：逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss)：15V
电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：2.3A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：90 毫欧 @ 2.5A，10V
不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：1.5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：11.25nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：-
功率 - 最大值：791mW
安装类型：表面贴装
封装：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
供应商器件封装：8-SOIC
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