【供应】TPS1120DRG4
- 产品型号：TPS1120DRG4
- 生产厂家： Texas Instruments
- 产品规格：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
- 供应商：查看供应商>>
美元参考价格
-
2500pcs： $0.78750/pcs
- 向供应商询价>>
详细信息
标准包装：2,500
系列：-
包装：带卷 (TR)
FET 类型：2 个 P 沟道（双）
FET 功能：逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss)：15V
电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：1.17A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：180 毫欧 @ 1.5A，10V
不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：1.5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：5.45nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：-
功率 - 最大值：840mW
安装类型：表面贴装
封装：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
供应商器件封装：8-SOIC
系列：-
包装：带卷 (TR)
FET 类型：2 个 P 沟道（双）
FET 功能：逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss)：15V
电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：1.17A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：180 毫欧 @ 1.5A，10V
不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：1.5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：5.45nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：-
功率 - 最大值：840mW
安装类型：表面贴装
封装：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
供应商器件封装：8-SOIC
