标准包装：3,000
系列：-
包装：带卷 (TR)
FET 类型：MOSFET P 通道，金属氧化物
FET 功能：逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss)：30V
电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：13A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：12 毫欧 @ 13A，10V
不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：2.5V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：40nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：1860pF @ 10V
功率 - 最大值：1.5W
安装类型：表面贴装
封装：8-VDFN 裸露焊盘
供应商器件封装：8-DFN3333（3.3x3.3）