详细信息
标准包装:6
系列:HiPerFET™
包装:散装
FET 类型:4 个 N 通道(H 桥)
FET 功能:标准
漏源极电压 (Vdss):500V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):40A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):116 毫欧 @ 30A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 8mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):270nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):-
功率 - 最大值:-
安装类型:底座安装
封装:V2-PAK
供应商器件封装:V2-PAK
系列:HiPerFET™
包装:散装
FET 类型:4 个 N 通道(H 桥)
FET 功能:标准
漏源极电压 (Vdss):500V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):40A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):116 毫欧 @ 30A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 8mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):270nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):-
功率 - 最大值:-
安装类型:底座安装
封装:V2-PAK
供应商器件封装:V2-PAK