标准包装：2
系列：-
包装：散装
FET 类型：2 个 N 沟道（双）
FET 功能：标准
漏源极电压 (Vdss)：75V
电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：1500A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：0.8 毫欧 @ 1200A，10V
不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：4V @ 10mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：2480nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：-
功率 - 最大值：-
安装类型：底座安装
封装：Y3-Li
供应商器件封装：Y3-Li