标准包装：6
系列：HiPerFET™
包装：散装
FET 类型：2 个 N 沟道（双）
FET 功能：标准
漏源极电压 (Vdss)：200V
电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：84A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：25 毫欧 @ 500mA，10V
不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：4V @ 8mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：450nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：15000pF @ 25V
功率 - 最大值：370W
安装类型：底座安装
封装：Y4
供应商器件封装：Y4