标准包装：2
系列：PolarHT™
包装：托盘
FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能：标准
漏源极电压 (Vdss)：200V
电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：1900A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：1.7 毫欧 @ 1600A，10V
不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：5V @ 5mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：2900nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：-
功率 - 最大值：-
安装类型：底座安装
封装：Y3-Li
供应商器件封装：Y3-Li