【供应】VMO580-02F
- 产品型号：VMO580-02F
- 生产厂家： IXYS
- 产品规格：Y3-Li
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美元参考价格
-
1pcs： $133.09000/pcs
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10pcs： $124.39600/pcs
100pcs： $115.69670/pcs
250pcs： $112.21712/pcs
500pcs： $109.60740/pcs
1000pcs： $104.38800/pcs
详细信息
标准包装：3
系列：HiPerFET™
包装：散装
FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能：标准
漏源极电压 (Vdss)：200V
电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：580A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：3.8 毫欧 @ 430A，10V
不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：4V @ 50mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：2750nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：-
功率 - 最大值：-
安装类型：底座安装
封装：Y3-Li
供应商器件封装：Y3-Li
系列：HiPerFET™
包装：散装
FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能：标准
漏源极电压 (Vdss)：200V
电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：580A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：3.8 毫欧 @ 430A，10V
不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：4V @ 50mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：2750nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：-
功率 - 最大值：-
安装类型：底座安装
封装：Y3-Li
供应商器件封装：Y3-Li
