【供应】VMO650-01F
- 产品型号：VMO650-01F
- 生产厂家： IXYS
- 产品规格：Y3-DCB
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美元参考价格
-
2pcs： $145.90000/pcs
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详细信息
标准包装：2
系列：HiPerFET™
包装：散装
FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能：标准
漏源极电压 (Vdss)：100V
电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：690A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：1.8 毫欧 @ 500mA，10V
不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：6V @ 130mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：2300nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：59000pF @ 25V
功率 - 最大值：2500W
安装类型：底座安装
封装：Y3-DCB
供应商器件封装：Y3-DCB
系列：HiPerFET™
包装：散装
FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能：标准
漏源极电压 (Vdss)：100V
电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：690A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：1.8 毫欧 @ 500mA，10V
不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：6V @ 130mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：2300nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：59000pF @ 25V
功率 - 最大值：2500W
安装类型：底座安装
封装：Y3-DCB
供应商器件封装：Y3-DCB
