产品变化通告： Product Discontinuation 20/Aug/2008

标准包装：2,000
系列：-
包装：带卷 (TR)
FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能：逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss)：60V
电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：150mA
不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：7.5 欧姆 @ 500mA，10V
不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：2.5V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：-
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：60pF @ 25V
功率 - 最大值：400mW
安装类型：通孔
封装：TO-226-3、TO-92-3（TO-226AA）成形引线
供应商器件封装：TO-92-3