详细信息
标准包装:6
系列:-
包装:散装
FET 类型:6 N-沟道(3 相桥)
FET 功能:标准
漏源极电压 (Vdss):75V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):340A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):3.3 毫欧 @ 250A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 2mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):450nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):-
功率 - 最大值:-
安装类型:通孔
封装:V2-PAK
供应商器件封装:V2-PAK
系列:-
包装:散装
FET 类型:6 N-沟道(3 相桥)
FET 功能:标准
漏源极电压 (Vdss):75V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):340A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):3.3 毫欧 @ 250A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 2mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):450nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):-
功率 - 最大值:-
安装类型:通孔
封装:V2-PAK
供应商器件封装:V2-PAK