标准包装：1,000
系列：-
包装：带卷 (TR)
FET 类型：2 个 N 沟道（双）
FET 功能：逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss)：60V
电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：1A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：1 欧姆 @ 1.5A，10V
不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：3V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：-
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：100pF @ 25V
功率 - 最大值：2.25W
安装类型：表面贴装
封装：SOT-223-8
供应商器件封装：SOT-223