详细信息
标准包装:4,000
系列:-
包装:带卷 (TR)
FET 类型:2 个 N 沟道(双)
FET 功能:标准
漏源极电压 (Vdss):60V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):-
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):-
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):-
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):-
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):-
功率 - 最大值:-
安装类型:表面贴装
封装:SOT-223-8
供应商器件封装:SOT-223
系列:-
包装:带卷 (TR)
FET 类型:2 个 N 沟道(双)
FET 功能:标准
漏源极电压 (Vdss):60V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):-
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):-
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):-
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):-
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):-
功率 - 最大值:-
安装类型:表面贴装
封装:SOT-223-8
供应商器件封装:SOT-223