详细信息
标准包装:10,000
系列:-
包装:带卷 (TR)
FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物
FET 功能:逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss):250V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):197mA
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):14 欧姆 @ 200mA,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):3.45nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):73pF @ 25V
功率 - 最大值:1.1W
安装类型:表面贴装
封装:SOT-23-6
供应商器件封装:SOT-23-6
系列:-
包装:带卷 (TR)
FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物
FET 功能:逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss):250V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):197mA
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):14 欧姆 @ 200mA,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):3.45nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):73pF @ 25V
功率 - 最大值:1.1W
安装类型:表面贴装
封装:SOT-23-6
供应商器件封装:SOT-23-6