【供应】ZXM66P02N8TC
- 产品型号:ZXM66P02N8TC
- 生产厂家: Diodes Inc
- 产品规格:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
- 供应商:查看供应商>>
美元参考价格
-
暂时无参考价
- 向供应商询价>>
详细信息
标准包装:2,500
系列:-
包装:带卷 (TR)
FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物
FET 功能:标准
漏源极电压 (Vdss):20V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):6.4A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):25 毫欧 @ 3.2A,4.5V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):700mV @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):43.3nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):2068pF @ 15V
功率 - 最大值:1.56W
安装类型:表面贴装
封装:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商器件封装:8-SOP
系列:-
包装:带卷 (TR)
FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物
FET 功能:标准
漏源极电压 (Vdss):20V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):6.4A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):25 毫欧 @ 3.2A,4.5V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):700mV @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):43.3nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):2068pF @ 15V
功率 - 最大值:1.56W
安装类型:表面贴装
封装:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商器件封装:8-SOP