【供应】ZXMN2A02N8TA

- 产品型号:ZXMN2A02N8TA
- 生产厂家: Diodes Inc
- 产品规格:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
- 供应商:查看供应商>>
美元参考价格
-
500pcs: $0.80370/pcs
- 向供应商询价>>
1000pcs: $0.63450/pcs
2500pcs: $0.59220/pcs
5000pcs: $0.56259/pcs
12500pcs: $0.54144/pcs
25000pcs: $0.52452/pcs
50000pcs: $0.50760/pcs
详细信息
标准包装:500
系列:-
包装:带卷 (TR)
FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss):20V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):8.3A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):20 毫欧 @ 11A,4.5V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):700mV @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):18.9nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):1900pF @ 10V
功率 - 最大值:1.56W
安装类型:表面贴装
封装:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商器件封装:8-SOP
系列:-
包装:带卷 (TR)
FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss):20V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):8.3A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):20 毫欧 @ 11A,4.5V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):700mV @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):18.9nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):1900pF @ 10V
功率 - 最大值:1.56W
安装类型:表面贴装
封装:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商器件封装:8-SOP
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