【供应】ZXMN2F30FHTA
- 产品型号:ZXMN2F30FHTA
- 生产厂家: Diodes Inc
- 产品规格:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
- 供应商:查看供应商>>
美元参考价格
-
3000pcs: $0.13695/pcs
- 向供应商询价>>
6000pcs: $0.12865/pcs
15000pcs: $0.12035/pcs
30000pcs: $0.11039/pcs
75000pcs: $0.10624/pcs
150000pcs: $0.10209/pcs
详细信息
其它图纸:
SOT-23 Top
PCN Design/Specification: Wafer Site/Bond Wire 8/Apr/2013
标准包装:3,000
系列:-
包装:带卷 (TR)
FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss):20V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):4.1A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):45 毫欧 @ 2.5A,4.5V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1.5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):4.8nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):452pF @ 10V
功率 - 最大值:960mW
安装类型:表面贴装
封装:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
供应商器件封装:SOT-23-3
PCN Design/Specification: Wafer Site/Bond Wire 8/Apr/2013
标准包装:3,000
系列:-
包装:带卷 (TR)
FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss):20V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):4.1A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):45 毫欧 @ 2.5A,4.5V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1.5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):4.8nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):452pF @ 10V
功率 - 最大值:960mW
安装类型:表面贴装
封装:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
供应商器件封装:SOT-23-3