详细信息
其它图纸:
MLP832 Side
MLP832 Bottom
PCN Obsolescence: MLP322, 832 Pkg 20/Dec/2010
标准包装:3,000
系列:-
包装:带卷 (TR)
FET 类型:2 个 N 沟道(双)
FET 功能:逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss):30V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):2.9A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):120 毫欧 @ 2.5A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):3.9nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):190pF @ 25V
功率 - 最大值:1.5W
安装类型:表面贴装
封装:8-MLP
供应商器件封装:8-MLP(3x2)
MLP832 Bottom
PCN Obsolescence: MLP322, 832 Pkg 20/Dec/2010
标准包装:3,000
系列:-
包装:带卷 (TR)
FET 类型:2 个 N 沟道(双)
FET 功能:逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss):30V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):2.9A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):120 毫欧 @ 2.5A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):3.9nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):190pF @ 25V
功率 - 最大值:1.5W
安装类型:表面贴装
封装:8-MLP
供应商器件封装:8-MLP(3x2)