【供应】ZXMN3F30FHTA
- 产品型号:ZXMN3F30FHTA
- 生产厂家: Diodes Inc
- 产品规格:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
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美元参考价格
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3000pcs: $0.13695/pcs
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6000pcs: $0.12865/pcs
15000pcs: $0.12035/pcs
30000pcs: $0.11039/pcs
75000pcs: $0.10624/pcs
150000pcs: $0.10209/pcs
详细信息
其它图纸:
SOT-23 Top
PCN Design/Specification: Wafer Site/Bond Wire 8/Apr/2013
标准包装:3,000
系列:-
包装:带卷 (TR)
FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss):30V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):3.8A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):47 毫欧 @ 3.2A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):3V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):7.7nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):318pF @ 15V
功率 - 最大值:950mW
安装类型:表面贴装
封装:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
供应商器件封装:SOT-23-3
PCN Design/Specification: Wafer Site/Bond Wire 8/Apr/2013
标准包装:3,000
系列:-
包装:带卷 (TR)
FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss):30V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):3.8A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):47 毫欧 @ 3.2A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):3V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):7.7nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):318pF @ 15V
功率 - 最大值:950mW
安装类型:表面贴装
封装:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
供应商器件封装:SOT-23-3
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