【供应】ZXMN3F31DN8TA
- 产品型号：ZXMN3F31DN8TA
- 生产厂家： Diodes Inc
- 产品规格：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
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美元参考价格
-
500pcs： $0.44000/pcs
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1000pcs： $0.35200/pcs
2500pcs： $0.31900/pcs
5000pcs： $0.29700/pcs
12500pcs： $0.28600/pcs
25000pcs： $0.27500/pcs
50000pcs： $0.27060/pcs
详细信息
PCN Design/Specification：
Wafer Site/Bond Wire 8/Apr/2013
标准包装：500
系列：-
包装：带卷 (TR)
FET 类型：2 个 N 沟道（双）
FET 功能：逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss)：30V
电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：5.7A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：24 毫欧 @ 7A，10V
不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：3V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：12.9nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：608pF @ 15V
功率 - 最大值：1.25W
安装类型：表面贴装
封装：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
供应商器件封装：8-SOP
标准包装：500
系列：-
包装：带卷 (TR)
FET 类型：2 个 N 沟道（双）
FET 功能：逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss)：30V
电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：5.7A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：24 毫欧 @ 7A，10V
不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：3V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：12.9nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：608pF @ 15V
功率 - 最大值：1.25W
安装类型：表面贴装
封装：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
供应商器件封装：8-SOP
