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【供应】ZXMN6A09DN8TA

  • 产品型号:ZXMN6A09DN8TA
  • 生产厂家: Diodes Inc
  • 产品规格:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
  • 供应商:查看供应商>>
美元参考价格
    500pcs: $1.05000/pcs
    1000pcs: $0.87000/pcs
    2500pcs: $0.81000/pcs
    5000pcs: $0.78000/pcs
    12500pcs: $0.75000/pcs
    25000pcs: $0.73800/pcs
    50000pcs: $0.72000/pcs
  • 向供应商询价>>
详细信息
标准包装:500
系列:-
包装:带卷 (TR)
FET 类型:2 个 N 沟道(双)
FET 功能:逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss):60V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):4.3A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):40 毫欧 @ 8.2A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):3V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):24.2nC @ 5V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):1407pF @ 40V
功率 - 最大值:1.25W
安装类型:表面贴装
封装:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商器件封装:8-SOP
ZXMN6A09DN8TA供应商
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