1N6012B参数:DIODE ZENER 33V 500MW DO35
类别:分立半导体产品-单二极管/齐纳PCNDesign/Specification: DieDimension02/Nov/2007标准包装:1,000系列:-包装:散装电压-齐纳(标称值)(Vz):33V容差:±5%不同?Vr时的电流-反向漏电流:100nA@25V功率-最大值:500mW阻抗(最大值)(Zzt):88欧姆不同If时的电压-正向(Vf):1.2V@200mA安装类型:通孔封装:DO-204AH,DO-35,轴向供应商器件封装:DO-35工作温度:-65°C~200°C