2N7002-7-F参数:MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23-3
类别:分立半导体产品-FET - 单产品目录绘图: SOT-23PackageTop SOT-23PackageSide1 SOT-23PackageSide2PCNDesign/Specification: BondWire22/Sept/2008 GreenEncapsulate15/May/2008 BondWire11/Nov/2011标准包装:3,000系列:-包装:带卷(TR)FET类型:MOSFETN通道,金属氧化物FET功能:标准漏源极电压(Vdss):60V电流-连续漏极(Id)(25°C时):115mA不同?Id、Vgs时的?RdsOn(最大值):7.5欧姆@50mA,5V不同Id时的Vgs(th)(最大值):2.5V@250µA不同Vgs时的栅极电荷(Qg):-不同Vds时的输入电容(Ciss):50pF@25V功率-最大值:300mW安装类型:表面贴装封装:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3供应商器件封装:SOT-23-3