2N7002DW-TP参数：MOSFET 2N-CH 60V 115MA SOT-363
类别：分立半导体产品-FET - 阵列产品培训模块： DiodeHandlingandMounting标准包装：3,000系列：-包装：带卷(TR)FET类型：2个N沟道（双）FET功能：标准漏源极电压(Vdss)：60V电流-连续漏极(Id)（25°C时）：115mA不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：7.5欧姆@50mA，5V不同Id时的Vgs(th)（最大值）：2V@250µA不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：-不同Vds时的输入电容(Ciss)：50pF@25V功率-最大值：200mW安装类型：表面贴装封装：6-TSSOP，SC-88，SOT-363供应商器件封装：SOT-363
