2N7002E,215参数:MOSFET N-CH 60V 385MA SOT23
类别:分立半导体产品-FET - 单标准包装:3,000系列:TrenchMOS™包装:带卷 (TR)FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物FET 功能:逻辑电平门漏源极电压 (Vdss):60V电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):385mA不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):3 欧姆 @ 500mA,10V不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 250µA不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):0.69nC @ 10V不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):50pF @ 10V功率 - 最大值:830mW安装类型:表面贴装封装:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3供应商器件封装:TO-236AB