2N7002V-TP参数：MOSFET 2N-CH 60V 280MA SOT-563
类别：分立半导体产品-FET - 阵列标准包装：3,000系列：-包装：带卷 (TR)FET 类型：2 个 N 沟道（双）FET 功能：标准漏源极电压 (Vdss)：60V电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：280mA不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：2 欧姆 @ 500mA，10V不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：2.5V @ 250µA不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：-不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：50pF @ 25V功率 - 最大值：150mW安装类型：表面贴装封装：SOT-563，SOT-666供应商器件封装：SOT-563
