2N7002W-TP参数:MOSFET N-CH 60V 115MA SOT-323
类别:分立半导体产品-FET - 单产品培训模块: DiodeHandlingandMounting标准包装:3,000系列:-包装:带卷(TR)FET类型:MOSFETN通道,金属氧化物FET功能:标准漏源极电压(Vdss):60V电流-连续漏极(Id)(25°C时):115mA不同?Id、Vgs时的?RdsOn(最大值):7.5欧姆@50mA,5V不同Id时的Vgs(th)(最大值):2V@250µA不同Vgs时的栅极电荷(Qg):-不同Vds时的输入电容(Ciss):50pF@25V功率-最大值:200mW安装类型:表面贴装封装:SC-70,SOT-323供应商器件封装:SOT-323